本成果是通过优化稀土元素掺杂铌镁酸铅-钛酸铅（PMN-PT）的粉体制备工艺，坯体成型工艺，陶瓷烧结工艺，最终成功制备出具有高透光率和高电光性能的PMN-PT基透明电光陶瓷。厚度为0.8mm时的透光率>70%@1550nm，接近其理论透光率71%，为国内最高水平，国际上仅次于美国Boston应用科技有限公司。当厚度2-3mm时仍然高度透明。 通过优化固溶配比和稀土掺杂浓度制备出二次电光系数达到20×10-16m2/V2-50×10-16 m2/V2的PMN-PT电光陶瓷，电光性能仅次于中科院上硅所和美国Boston应用科技公司。测试其电光开关效应的开关比大于3000:1，开关效率最高可达96%，性能优异。与LiNbO3，KDP等电光晶体动辄2800-8000V的半波电压相比，我们所制备的PMN-PT透明陶瓷半波电压只有~200V，预期在激光、光通信、光控相控阵雷达等领域具有良好的应用前景。目前已制备出电光开关与调制原型器件。